StarTech.com ECUSB3S22 (ECUSB3S22)

177.79 

Opis

Unikalna innowacyjna architektura pamięci flash V-NAND 3D firmy Samsung to przełom w pokonywaniu ograniczeń związanych z gęstością, wydajnością i wytrzymałością konwencjonalnej architektury dwuwymiarowej typu NAND. Technologia V-NAND 3D powstaje poprzez ułożenie 32 warstw komórek jedna na drugiej zamiast stosowania mniejszych komórek układanych poziomo jedna obok drugiej. Takie rozwiązanie zapewnia wzrost gęstości i lepsze wykorzystanie przestrzeni.

Samsung 850 EVO 500GB 2,5″ (MZ-75E500B/EU) 889,99 PLN

żarówki xiaomi, 4w, biała taśma izolacyjna, gniazdo przekaźnika, kminić, czyszczenie potencjometru, yanosik gtr bez abonamentu, akumulator amg, wtyczka samochodowa 12v, pcf8591, części elektroniczne szczecin, akumulator li-ion 18650, rezystor węglowy, binder jetting, oscylator kwarcowy

yyyyy